2021年，按照相关数据，国内进口芯片金额近4400亿美元，创下历史记录。芯片金额在所有进口商品中占比高达28.6%。可见国内对国外芯片的依赖度。所以我们都希望国产芯片能够迅速崛起，提高自给率，减少进口。

而基于当前大家都懂的外部形势，想要达到提高自己率，就要求是内半导体供应链能够崛起，尤其是半导体设备，能够达到先进工艺，这样才不会被卡脖子。

那么目前所有国产半导体设备中，究竟哪一种是最落后的，最需要突破的?其实最落后的，就是大家最熟悉的光刻机。众所周知，芯片的制造工序特别多，需要的半导体设备也特别多，但主要可以分为三个主要步骤，那就是单晶硅片制造、前道工序、后道工序。

单晶硅片制造就是把砂子变成晶圆的过程，这一块目前国内有300mm的晶圆，可以用于10nm以下，所以这一块的国产设备，并不落后。

前道工序有8个主要流程，分别是扩散、薄膜沉积、光刻、刻蚀、离子注入、CMP抛光、金属化、测试，所以至少有8种关键设备。这8种关键设备里面，只有国产光刻机目前还在90nm，其它的设备大多到了28nm，甚至14nm的程度，有些甚至到了5nm，3nm，比如刻蚀机。而后道工序主要是指封测这一块，目前国内有三大厂商，早就到了5nm，基本上国内也是处于全球先进水平的。可见，综合起来看，真正最拖后腿的就是国产光刻机了，还在90nm，而芯片制造是遵循短板理论的，能够制造多少nm的芯片，取决于最落后的那一环，所以光刻机必须突破，所以永远拖后腿，严重阻碍国产芯片的崛起了。

光刻机的路程还是有一段路要走的。

对于光刻机技术来说，90纳米是一个技术步骤;45纳米是一个技术步骤;22纳米是一个技术步骤.把90纳米的技术升级到65纳米并不难，但是45纳米比65纳米难多了。我们要一步一个脚印的走下去。

其实我国的军用芯片大部分都是国产的，我们拥有全套的军用芯片制造设备和技术。我们知道如何制造芯片，也拥有自己的光刻机。目前欠缺的是民用芯片的设备和制造。

因为市场和成本，民用产品多用进口设备制造。目前最高端的光刻机来自荷兰ASML，而拥有荷兰ASML光刻机的行业巨头台积电和三星则在全球缺芯危机来临之时，直接垄断了7nm芯片业务。

虽然短期内因为光刻机局限了民用芯片，但是壮大民用芯片的制造和生产只是时间问题。相信在不久的将来，我们国内制造业一定能够迎来国产芯片的大爆发。【1】

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【1】选自《中国传动网》