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ARM内核结构
作者:沐天机电|发布时间: 2021-10-23|次浏览
ARM内核有4个功能模块T、D、M、I,……技术咨询:13501761366



    ARM内核有4个功能模块T、D、M、I,可供生产厂商根据不同用户的要求来配置生产ARM芯片。


    其中:T功能模块表示16位Thumb,可以在兼顾性能的同时减少代码尺寸。

              M功能模块表示8位乘法器。

              D功能模块表示Debug,该内核中放置了用于调试的结构,通常它为一个边界扫描链JTAG,可使CPU进入调试模式,从而可方便地进行断点设置、单步调试。

              I功能模块表示EmbeddedICE Logic,用于实现断点观测及变量观测的逻辑电路部分,其中的TAP控制器可接入到边界扫描链。


    ARM芯片的核心,即CPU内核(ARM720T)由一个ARMTTDMI 32位RISC处理器、一个单一的高速缓冲8KB Cache和一个存储空间管理单元(MMU)所构成。一个ARM720T内核基本由以下四部分组成。

    (1)ARMTTDMI CPU核。该CPU核支持Thumb指令集、核调试、增强的乘法器、JTAG以及嵌入式ICE。它的时钟频率可编程为18MHz、36MHz、49MHz、74MHz。

    (2)存储空间管理单元(MMU)与ARM710核兼容,并增加了对Windows CE的支持。该存储空间管理单元提供了地址转换和一个有64项的转换旁路缓冲器。

    (3)8KB单一指令和数据高速缓冲存储器以及一个四路相联高速缓冲存储器控制器。

    (4)写缓冲器Write Buffer。


        ARM内核分为五个系列

       ARM7 系列

ARM7TDMI是ARM7系列中使用最广泛的,它是从最早实现32位地址空间编程模式的ARM6内核发展而来的,并增加了64位乘法指令,支持片上调试、16位Thumb指令集和EmbeddedICE观察点硬件。ARM7TDMI属于ARM v4体系结构,采用冯诺伊曼结构,3级流水处理,平均0.9DMIPs/Mhz性能。


       ARM9 系列

ARM9TDMI相比ARM7TDMI,将流水级数提高到5级从而增加了处理器的时钟频率,并使用指令和数据存储器分开的哈佛结构以改善CPI和提高处理器性能,平均可达1.1DMIPs/Mhz,但是ARM9TDMI仍属于ARM v4T体系结构。但可以更好的支持象Linux和WinCE这样的多线程、多任务操作系统。


       ARM9E 系列

ARM9E系列属于ARM v5TE,在ARM9TDMI的基础上增加了DSP扩展指令Java指令。通过DSP和Java的指令扩展,可获得70%的DSP处理能力和8x的Java处理性能提升。另外分开的指令和数据Cache结构进一步提升了软件性能


      ARM11 系列

      ARM11属于v6体系结构,相比v5系列增加了SIMD多媒体指令,获得1.75x多媒体处理能力的提升。ARM11系列内核最高的处理速度可达500Mhz以上以及600DMIPS的性能。

      基于ARMv6架构的ARM11系列处理器是根据下一代的消费类电子、无线设备、网络应用和汽车电子产品等需求而制定的。其的媒体处理能力和低功耗特点使它特别适合于无线和消费类电子产品;其高数据吞吐量和高性能的结合非常适合网络处理应用;另外,在实时性能和浮点处理等方面ARM11可以满足汽车电子应用的需求。


      ARM Cotex 系列

Cortex系列是ARM公司目前最新内核系列,属于v7架构,最高可达1Ghz的处理速度,更好的支持多媒体及其他高性能要求,最高可达2000DMIPS


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